페이지 인쇄
IXFB150N65X2
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Through Hole
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXFB150N65X2복사
제조업체 표준 리드 타임37주
주문 코드3930549
Product RangeX2-Class HiPerFET Series
귀하의 부품 번호
70 재고
더 필요하세요?
70 8-9 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩54,972 |
| 5+ | ₩52,572 |
| 10+ | ₩50,172 |
| 50+ | ₩47,772 |
| 100+ | ₩45,371 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩54,972
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXFB150N65X2복사
제조업체 표준 리드 타임37주
주문 코드3930549
Product RangeX2-Class HiPerFET Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source On State Resistance0.017ohm
Transistor Case StylePLUS264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.56kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeX2-Class HiPerFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCTo Be Advised
제품 개요
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It is suitable for use in DC-DC converters, battery charger, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor drives, robotics and servo controls applications.
- X2-Class HiPerFET™ power MOSFET
- Low QG
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
150A
Transistor Case Style
PLUS264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.56kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
X2-Class HiPerFET Series
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.013441