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IXFN210N20P
MOSFET Transistor, N Channel, 188 A, 200 V, 1050 µohm, 10 V, 4.5 V
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩64,021 |
| 5+ | ₩60,978 |
| 10+ | ₩57,934 |
| 50+ | ₩54,890 |
| 100+ | ₩51,846 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXFN210N20P
주문 코드3930242
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id188A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance1050µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation1.07kW
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
제품 개요
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC and DC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low RDS(ON) and QG
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.07kW
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
188A
Drain Source On State Resistance
1050µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001