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IXFN210N30X3
MOSFET Transistor, N Channel, 210 A, 300 V, 3800 µohm, 10 V, 4.5 V
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩66,251 |
| 5+ | ₩63,762 |
| 10+ | ₩61,273 |
| 50+ | ₩58,784 |
| 100+ | ₩56,294 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXFN210N30X3
주문 코드3930190
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source Voltage Vds300V
Drain Source On State Resistance3800µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation695W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
제품 개요
N-channel enhancement mode avalanche rated fast X3-Class HiPerFET™ power MOSFET. It Is suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, robotics and servo controls applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
300V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
695W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
210A
Drain Source On State Resistance
3800µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001