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IXFX120N65X2
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 120 A, 0.024 ohm, PLUS247, Through Hole
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXFX120N65X2복사
제조업체 표준 리드 타임29주
주문 코드3930114
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StylePLUS247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.25kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor control, PFC circuits, robotics and servo controls application.
- Low QG
- Low package inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
PLUS247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.008648