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IXSG110N65L2K
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 111 A, 650 V, 0.033 ohm, TOLL
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| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩17,403 | ₩17,403 |
| 총계 가격 | ₩17,403 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩17,403 |
| 5+ | ₩14,754 |
| 10+ | ₩12,104 |
| 50+ | ₩11,484 |
| 100+ | ₩10,863 |
| 250+ | ₩10,242 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXSG110N65L2K복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드
리릴링4860989RL
컷 테이프4860989
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id111A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTOLL
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
111A
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TOLL
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001