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IXTA1R6N100D2HV
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 1.6 A, 10 ohm, TO-263HV, Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | ₩11,346 |
| 10+ | ₩6,477 |
| 100+ | ₩5,705 |
| 500+ | ₩5,326 |
| 1000+ | ₩5,307 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXTA1R6N100D2HV복사
제조업체 표준 리드 타임34주
주문 코드3930414
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id1.6A
Drain Source On State Resistance10ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
N-channel high voltage depletion mode power MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications.
- High voltage package
- High blocking voltage
- Normally ON mode
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
10ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001