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IXTF02N450
Power MOSFET, N Channel, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, ISOPLUS i4-PAK, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩80,912 |
| 5+ | ₩72,136 |
| 10+ | ₩63,359 |
| 50+ | ₩62,092 |
| 100+ | ₩60,825 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXTF02N450복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드3930056
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds4.5kV
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance750ohm
Transistor Case StyleISOPLUS i4-PAK
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation78W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max-
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
제품 개요
N-channel enhancement mode high voltage power MOSFET suitable for use in high voltage power supplies, capacitor discharge applications, pulse circuits and laser and X-Ray generation systems applications.
- Silicon chip on Direct-Copper Bond (DCB) substrate
- Isolated mounting surface
- 4500V electrical isolation
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- High voltage package
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
ISOPLUS i4-PAK
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
78W
Operating Temperature Max
-
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
4.5kV
Drain Source On State Resistance
750ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.008401