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IXTH10N100D2
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩34,389 |
| 5+ | ₩32,449 |
| 10+ | ₩30,508 |
| 50+ | ₩28,568 |
| 100+ | ₩26,627 |
| 250+ | ₩24,686 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXTH10N100D2복사
제조업체 표준 리드 타임26주
주문 코드3930489
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance1.5ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation695W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
N-channel depletion mode MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications.
- Normally ON mode
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
695W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004536