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IXTH1N450HV
Power MOSFET, N Channel, 4.5 kV, 1 A, 80 ohm, TO-247HV, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩77,349 |
| 5+ | ₩69,104 |
| 10+ | ₩60,858 |
| 50+ | ₩59,641 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXTH1N450HV복사
제조업체 표준 리드 타임53주
주문 코드3930512
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds4.5kV
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance80ohm
Transistor Case StyleTO-247HV
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation520W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
N-channel enhancement mode high voltage power MOSFET suitable for use in high voltage power supplies, capacitor discharge applications, pulse circuit and laser and X-Ray generation systems applications.
- High blocking voltage
- High voltage power MOSFET
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
TO-247HV
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
520W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
4.5kV
Drain Source On State Resistance
80ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.012398