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IXTK120P20T
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 120 A, 0.03 ohm, TO-264, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩48,757 |
| 5+ | ₩46,362 |
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| 50+ | ₩41,572 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXTK120P20T복사
제조업체 표준 리드 타임26주
주문 코드3930250
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation1.04kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
제품 개요
P-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic rectifier suitable for use in high-side switches, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators, battery charger applications.
- Extended FBSOA
- Low RDS(ON) and QG
- Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
- Space savings
- High power density
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.04kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001