페이지 인쇄
IXTN200N10L2
MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
222 재고
300 지금 제품을 예약하실 수 있습니다
222 6-8 영업일 이내 배송(미국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩63,479 |
| 5+ | ₩60,786 |
| 10+ | ₩58,093 |
| 50+ | ₩55,400 |
| 100+ | ₩52,707 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩63,479
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXTN200N10L2
주문 코드3771792
Product RangeLinearL2 Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id178A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance11mohm
Transistor Case StyleSOT-227
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation830W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Qualification-
Product RangeLinearL2 Series
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Transistor Case Style
SOT-227
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
830W
No. of Pins
4Pins
Product Range
LinearL2 Series
Continuous Drain Current Id
178A
Drain Source On State Resistance
11mohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.023587