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IXTY1R6N50D2
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,525 |
| 10+ | ₩3,455 |
| 100+ | ₩3,417 |
| 500+ | ₩3,416 |
| 1000+ | ₩3,415 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호IXTY1R6N50D2복사
제조업체 표준 리드 타임27주
주문 코드4060244
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id1.6A
Drain Source On State Resistance2.3ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
2.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000531