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LSIC1MO120E0160
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
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제조업체 표준 리드 타임: 31주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩17,262 |
| 5+ | ₩14,566 |
| 10+ | ₩11,869 |
| 50+ | ₩11,675 |
| 100+ | ₩11,481 |
| 250+ | ₩11,306 |
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제품 정보
제조업체LITTELFUSE
제조업체 부품 번호LSIC1MO120E0160
주문 코드2889733
Product RangeLSIC1MO120
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation125W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeLSIC1MO120
MSL-
SVHCTo Be Advised
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
22A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
150°C
MSL
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
125W
Product Range
LSIC1MO120
SVHC
To Be Advised
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002