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SI3439KU6-TP
Dual MOSFET, N and P Channel, 20 V, 20 V, 750 mA, 520 mA, 0.25 ohm
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제조업체 부품 번호SI3439KU6-TP복사
제조업체 표준 리드 타임24주
주문 코드
리릴링4848705RL
컷 테이프4848705
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩663 | ₩3,315 |
| 총계 가격 | ₩3,315 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩663 |
| 10+ | ₩485 |
| 100+ | ₩275 |
| 500+ | ₩187 |
| 1000+ | ₩125 |
| 5000+ | ₩110 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호SI3439KU6-TP복사
제조업체 표준 리드 타임24주
주문 코드
리릴링4848705RL
컷 테이프4848705
기술 데이터 시트
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel750mA
Continuous Drain Current Id P Channel520mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.25ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.85ohm
Transistor Case StyleDFN1010B
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel350mW
Power Dissipation P Channel350mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
520mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.85ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
350mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
750mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.25ohm
Transistor Case Style
DFN1010B
Power Dissipation N Channel
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.015