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MSC045SMB120B4N
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 49 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
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| 제조업체 | MICROCHIP |
|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | MSC045SMB120B4N복사 |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 6주 |
| 주문 코드 | 4751107 |
| Product Range | mSiC Series |
| 귀하의 부품 번호 | |
| 기술 데이터 시트 |
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제품 정보
| 제조업체 | MICROCHIP |
|---|---|
| 제조업체 부품 번호 | MSC045SMB120B4N복사 |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 6주 |
| 주문 코드 | 4751107 |
| Product Range | mSiC Series |
| 기술 데이터 시트 | |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Channel Type | N Channel |
| Continuous Drain Current Id | 49A |
| Drain Source Voltage Vds | 1.2kV |
| Drain Source On State Resistance | 0.06ohm |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| No. of Pins | 4Pins |
| Rds(on) Test Voltage | 18V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5V |
| Power Dissipation | 237W |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Product Range | mSiC Series |
| SVHC | No SVHC (04-Feb-2026) |
제품 개요
MSC045SMB120B4N is a 1200V, 45mohm silicon carbide (SiC) power MOSFET in a 4-lead TO-247 package. It delivers high efficiency with low switching and conduction losses, fast switching speed, and robust avalanche performance. Designed for high-power and high-temperature applications, it is ideal for use in EV chargers, solar inverters, motor drives, and industrial power supplies.
- Low on-resistance RDS(on) reduces conduction losses, improving efficiency and thermal performance
- Supports high-frequency operation for smaller magnetics, higher power density, and lower cost
- Superior avalanche ruggedness and short-circuit withstand time
- HV-H3TRB proven capability ensures long-term reliability in high humidity environments
- Lower VGS and standard package enables improved compatibility with standard gate drivers
- Increased creepage distance (notch) improves safety and reliability in high-voltage designs
기술 사양
| MOSFET Module Configuration | Single |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 49A |
| Drain Source On State Resistance | 0.06ohm |
| No. of Pins | 4Pins |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| SVHC | No SVHC (04-Feb-2026) |
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 1.2kV |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Rds(on) Test Voltage | 18V |
| Power Dissipation | 237W |
| Product Range | mSiC Series |
법률 및 환경
| 원산지: 최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지: | China 최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가 |
|---|---|
| 관세 번호: | 85412900 |
| US ECCN: | EAR99 |
| EU ECCN: | NLR |
| RoHS 준수: | 예 RoHS |
| RoHS 프탈레이트 준수: | 추후 공고함 |
| SVHC: | No SVHC (04-Feb-2026) |
| 제품 준수 증명서 다운로드 | 제품 준수 증명서 |
| 무게(kg): | .000001 |