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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체MICRON
제조업체 부품 번호MT41K256M8DA-125 IT:K복사
주문 코드3530737
기술 데이터 시트
DRAM TypeDDR3L
DRAM Density2Gbit
Memory Density2Gbit
DRAM Memory Configuration256M x 8bit
Memory Configuration256M x 8bit
Clock Frequency800MHz
Clock Frequency Max800MHz
IC Case / PackageFBGA
Memory Case StyleFBGA
No. of Pins78Pins
Supply Voltage Nom1.5V
Access Time1.25ns
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
제품 개요
- DDR3L SDRAM (32 Meg x 8 x 8 banks)
- 256 Meg x 8 configuration, tCK = 1.25ns, CL = 11 speed grade
- VDD = VDDQ = 1.35V (1.283 to 1.45V), backward-compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
- Differential bidirectional data strobe, 8n-bit prefetch architecture
- Differential clock inputs (CK, CK#), 8 internal banks
- Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals
- Programmable CAS (READ) latency (CL), programmable posted CAS additive latency (AL)
- Programmable CAS (WRITE) latency (CWL)
- Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS])
- 78-ball FBGA package, industrial temperature range from -40°C ≤ TC ≤ +95°C
기술 사양
DRAM Type
DDR3L
Memory Density
2Gbit
Memory Configuration
256M x 8bit
Clock Frequency Max
800MHz
Memory Case Style
FBGA
Supply Voltage Nom
1.5V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
95°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
DRAM Density
2Gbit
DRAM Memory Configuration
256M x 8bit
Clock Frequency
800MHz
IC Case / Package
FBGA
No. of Pins
78Pins
Access Time
1.25ns
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Singapore
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Singapore
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001934
