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2N2222
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 800 mA, 1.2 W, TO-18, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩2,064 |
| 10+ | ₩1,653 |
| 100+ | ₩1,181 |
| 500+ | ₩828 |
| 1000+ | ₩591 |
| 5000+ | ₩518 |
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제품 정보
제조업체MULTICOMP PRO
제조업체 부품 번호2N2222
주문 코드9206884
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max30V
Continuous Collector Current800mA
Power Dissipation1.2W
Transistor Case StyleTO-18
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency250MHz
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The 2N2222 from Multicomp Pro is a through hole, low power bipolar transistor in TO-18 metal can package. This NPN silicon planar switching transistor is used for switching, linear DC power supply and VHF amplifier applications.
- Collector emitter breakdown voltage is 30V at IC = 10mA, IB = 0
- Continuous collector current (Ic) of 800mA
- Power dissipation is 500mW at Ta = 25°C
- Operating junction temperature range from -65°C to 200°C
- Collector emitter saturation voltage is 1.6V at IC = 500mA, IB = 50mA
- DC current gain is 30 at IC = 500mA, VCE = 10V
- Collector base breakdown voltage is 60V at IC = 10µA, IE = 0
- Transition frequency is 250MHz at IC = 20mA, VCE = 20V, f = 100MHz
애플리케이션
Signal Processing, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
800mA
Transistor Case Style
TO-18
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
30V
Power Dissipation
1.2W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
250MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:India
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:India
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00035