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BD137-10
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Through Hole
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제조업체MULTICOMP PRO
제조업체 부품 번호BD137-10복사
제조업체 표준 리드 타임19주
주문 코드4343292
Product RangeMulticomp Pro Bipolar Transistor NPN
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제품 정보
제조업체MULTICOMP PRO
제조업체 부품 번호BD137-10복사
제조업체 표준 리드 타임19주
주문 코드4343292
Product RangeMulticomp Pro Bipolar Transistor NPN
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current1.5A
Power Dissipation1.25W
Transistor Case StyleTO-126
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min63hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMulticomp Pro Bipolar Transistor NPN
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
The BD137 is an NPN bipolar junction transistor (BJT) housed in a TO-126 package. It is designed for general-purpose medium power switching and amplifier applications. The BD137 is commonly used in audio amplifiers, signal processing circuits, and other electronic applications requiring reliable switching and amplification.
- Collector-Emitter Voltage (Vce): 60V
- Collector Current (Ic): 1.5A
- Power Dissipation (Ptot): 12.5W
- DC Current Gain (hFE): 40 to 250
애플리케이션
Audio, Power Supplies, DC/DC Converters, Motor Drive & Control, Signal Processing
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1.5A
Transistor Case Style
TO-126
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
63hFE
Product Range
Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation
1.25W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
기술 문서 (1)
BD137-10의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00065