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BDV66B
Darlington Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 125 W, 16 A, TO-247, 3 Pins
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩11,349 |
| 10+ | ₩8,094 |
| 100+ | ₩6,307 |
| 500+ | ₩4,726 |
| 1000+ | ₩3,554 |
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제품 정보
제조업체MULTICOMP PRO
제조업체 부품 번호BDV66B
주문 코드9294430
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd125W
DC Collector Current16A
RF Transistor CaseTO-247
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE-
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The BDV66B is a -100V Silicon PNP Complementary Darlington Power Transistor having monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- Collector-emitter sustaining voltage (Vceo (sus) = 100V minimum)
- Collector-emitter saturation voltage(Vceo (sat) = 2V maximum at Ic = 10A)
- Collector-base voltage(Vcbo = 100V)
- Emitter-base voltage(Vebo = 5V)
- Multicomp Pro products are rated 4.6 out of 5 stars
- 12 month limited warranty *view Terms & Conditions for details
- 96% of customers would recommend to a friend
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Power Dissipation Pd
125W
RF Transistor Case
TO-247
DC Current Gain hFE
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
16A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.006