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CDM2319DS
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 2.3 A, 0.07 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제조업체MULTICOMP PRO
제조업체 부품 번호CDM2319DS
주문 코드4140857
Product RangeMulticomp Pro MOSFETs P-Channel
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기술 데이터 시트
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제품 정보
제조업체MULTICOMP PRO
제조업체 부품 번호CDM2319DS
주문 코드4140857
Product RangeMulticomp Pro MOSFETs P-Channel
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation750mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMulticomp Pro MOSFETs P-Channel
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- High density cell design for extremely low RDS(on)
- Rugged and Reliable
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
애플리케이션
Computer Hardware, DC/DC Converters, Embedded Design & Development, LED Lighting, Power Supplies, Low Voltage, Robotics, Motor Drive & Control, Sensing & Instrumentation
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
750mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Multicomp Pro MOSFETs P-Channel
MSL
-
기술 문서 (1)
CDM2319DS의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Hong Kong
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Hong Kong
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
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