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2N7002PW,115
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩517 | ₩2,585 |
| 총계 가격 | ₩2,585 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩517 |
| 50+ | ₩303 |
| 100+ | ₩186 |
| 500+ | ₩134 |
| 1500+ | ₩117 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩59 |
| 9000+ | ₩58 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호2N7002PW,115복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
풀릴2438520
리릴링1829184RL
컷 테이프1829184
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id310mA
Drain Source On State Resistance1.6ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.75V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The 2N7002PW is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Logic Level Compatible
- Very Fast Switching
- ESD Protection Upto 1.5kV
- AEC-Q101 Qualified
애플리케이션
Audio, Power Management, Automotive, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
310mA
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1.6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
기술 문서 (1)
2N7002PW,115의 대체 제품
7개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000454