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BC847QASZ
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 45 V, 100 mA, 350 mW
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩778 | ₩3,890 |
| 총계 가격 | ₩3,890 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩778 |
| 10+ | ₩465 |
| 100+ | ₩288 |
| 500+ | ₩226 |
| 1000+ | ₩181 |
| 5000+ | ₩130 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BC847QASZ복사
제조업체 표준 리드 타임55주
주문 코드
리릴링2498606RL
컷 테이프2498606
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN45V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN350mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleDFN1010B
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
45V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
350mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
Transistor Case Style
DFN1010B
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00007