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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩401 | ₩2,005 |
| 총계 가격 | ₩2,005 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩401 |
| 50+ | ₩174 |
| 100+ | ₩153 |
| 500+ | ₩111 |
| 1500+ | ₩109 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BSH111BKR복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
리릴링2575094RL
컷 테이프2575094
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id210mA
Drain Source On State Resistance4ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation302mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The BSH111BK from Nexperia is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Suitable for relay driver, high speed line driver, low-side load switch and switching circuits
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection <gt/> 3 kV HBM
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
302mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000168
