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BSH201,215
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,165 | ₩5,825 |
| 총계 가격 | ₩5,825 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,165 |
| 50+ | ₩699 |
| 100+ | ₩462 |
| 500+ | ₩333 |
| 1500+ | ₩249 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩155 |
| 9000+ | ₩152 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BSH201,215복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
풀릴2439434
리릴링1758073RL
컷 테이프1758073
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id160mA
Drain Source On State Resistance2.5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation417mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The BSH201,215 is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor in a plastic package using vertical D-MOS technology. Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- Low threshold voltage
애플리케이션
Industrial, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Consumer Electronics
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
160mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
417mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000318