페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.

주문 가능
제조업체 표준 리드 타임: 54주
입고 시 알림 요청
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,052 |
| 10+ | ₩791 |
| 100+ | ₩583 |
| 500+ | ₩434 |
| 1000+ | ₩391 |
| 5000+ | ₩384 |
가격기준Each
주문 최소수량: 5
주문 배수수량: 5
₩5,260
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BSH203,215복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드1972669
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id470mA
Drain Source On State Resistance0.9ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max680mV
Power Dissipation417mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The BSH203 is a P-channel enhancement-mode Power MOS Transistor housed subminiature surface-mount package. The device has low threshold voltage and extremely fast switching making it ideal for battery powered applications and high speed digital interfacing.
- Low threshold voltage
- Fast switching
- Logic level compatible
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Industrial
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
470mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
417mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
680mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
BSH203,215의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000008
