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BSS138AKAR
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩522 |
| 10+ | ₩227 |
| 100+ | ₩199 |
| 500+ | ₩154 |
| 1000+ | ₩135 |
| 5000+ | ₩89 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BSS138AKAR복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드2357125
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance2.7ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The BSS138AKA is a N-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. The single N-channel Trench MOSFET suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load switch and switching circuit applications.
- Very fast switching
- ESD protection
- Low threshold voltage
- AEC-Q101 qualified
- -55 to 150°C Junction temperature range
애플리케이션
Automotive, Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2.7ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000008