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BSS138PS,115
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 320 mA, 0.9 ohm
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩510 | ₩2,550 |
| 총계 가격 | ₩2,550 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩510 |
| 50+ | ₩312 |
| 100+ | ₩195 |
| 500+ | ₩144 |
| 1500+ | ₩129 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩101 |
| 9000+ | ₩91 |
라인 메모 추가
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BSS138PS,115복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
풀릴2439128
리릴링1972664RL
컷 테이프1972664
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel320mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.9ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel420mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The BSS138PS is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
320mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.9ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
420mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004082