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제조업체 표준 리드 타임: 15주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,704 |
| 10+ | ₩2,349 |
| 100+ | ₩1,593 |
| 500+ | ₩1,282 |
| 1000+ | ₩1,150 |
| 5000+ | ₩1,025 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호BUK7Y6R0-60EX복사
제조업체 표준 리드 타임15주
주문 코드2319933
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance4000µohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation195W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The BUK7Y6R0-60E is a N-channel standard level MOSFET designed using TrenchMOS® technology. The device has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.
- Repetitive avalanche rated
- Suitable for thermally demanding environments due to 175°C rating
- True standard level gate with VGS (th) rating of greater than 1V at 175°C
애플리케이션
Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Lighting, Automation & Process Control, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
195W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
4000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
BUK7Y6R0-60EX의 대체 제품
6개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.004749
