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NGFP15T65M3DFPQ
IGBT, 16 A, 1.51 V, 38 W, 650 V, TO-220FP, 3 Pins
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,322 |
| 10+ | ₩2,880 |
| 100+ | ₩2,417 |
| 500+ | ₩2,077 |
| 1000+ | ₩1,864 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호NGFP15T65M3DFPQ복사
제조업체 표준 리드 타임10주
주문 코드4745454
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current16A
Collector Emitter Saturation Voltage1.51V
Power Dissipation38W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-220FP
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
NGFP15T65M3DFPQ is a 650V, 15A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin TO-247 package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGFP15T65M3DFP is rated to 175°C with optimized IGBT turn-off losses, and has a short-circuit withstand time of 5μs. This hard-switching 650V,15A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and fast reverse recovery diode
기술 사양
Continuous Collector Current
16A
Power Dissipation
38W
Transistor Case Style
TO-220FP
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.51V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001