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NSF040120D7A1J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
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|---|---|
| 1+ | ₩19,613 |
| 5+ | ₩16,551 |
| 10+ | ₩13,488 |
| 50+ | ₩11,762 |
| 100+ | ₩10,036 |
| 250+ | ₩9,836 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호NSF040120D7A1J
주문 코드4719794
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id54A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation250W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
54A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
250W
Product Range
-
기술 문서 (1)
NSF040120D7A1J의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001