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NSF060120L4A0-QQ
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
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| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩27,292 | ₩27,292 |
| 총계 가격 | ₩27,292 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩27,292 |
| 5+ | ₩23,298 |
| 10+ | ₩19,303 |
| 50+ | ₩15,894 |
| 100+ | ₩15,577 |
| 250+ | ₩15,259 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호NSF060120L4A0-QQ복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드
리릴링4416129RL
컷 테이프4416129
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation183W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
37A
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
183W
Product Range
-
기술 문서 (1)
NSF060120L4A0-QQ의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.006568