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NX3008NBK,215
Power MOSFET, Trench, N Channel, 30 V, 400 mA, 1 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩341 |
| 10+ | ₩213 |
| 100+ | ₩128 |
| 500+ | ₩82 |
| 1000+ | ₩66 |
| 5000+ | ₩50 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호NX3008NBK,215
주문 코드2069541
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id400mA
Drain Source On State Resistance1ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The NX3008NBK from NXP is a surface mount, 30V N channel enhancement mode field effect transistor in SOT-23 (TO-236AB) package using TrenchMOS technology. This transistor features very high speed switching, low threshold voltage and ESD protection up to 2KV. This device is used as relay driver, high speed line drivers, low side load switch.
- Automotive grade AEC-Q101 qualified
- Drain to source voltage (Vds) of 30V
- Gate to source voltage of ±8V
- Drain current (Id) of 400mA
- Power dissipation (pd) of 350mW
- Ambient temperature range from -55°C to 150°C
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Automotive
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
400mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000007