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NX3008NBKS,115
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호NX3008NBKS,115
주문 코드2069542
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel350mA
Continuous Drain Current Id P Channel350mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel445mW
Power Dissipation P Channel445mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The NX3008NBKS is a dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a surface mounted device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Suitable for high-speed line driver and low-side loadswitch.
- Very fast switching
- Low threshold voltage
- Up to 2kV ESD protection
- AEC-Q101 Qualified
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
350mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
445mW
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
350mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
445mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000005