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NX3008PBKW,115
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 200 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Surface Mount
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|---|---|
| 5+ | ₩372 |
| 10+ | ₩238 |
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| 500+ | ₩97 |
| 1000+ | ₩58 |
| 5000+ | ₩48 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호NX3008PBKW,115
주문 코드2069551
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance2.8ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation260mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The NX3008PBKW is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in surface mount plastic package using Trench MOSFET technology. Suitable for relay driver, high-speed line driver and high-side loadswitch.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- AEC-Q101 Qualified
- Up to 1kV ESD protection
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
260mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
2.8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000005