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NX3020NAKS,115
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 180 mA, 180 mA, 2.7 ohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩654 |
| 10+ | ₩444 |
| 100+ | ₩282 |
| 500+ | ₩178 |
| 1000+ | ₩157 |
| 5000+ | ₩114 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호NX3020NAKS,115복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드2311180
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel180mA
Continuous Drain Current Id P Channel180mA
Drain Source On State Resistance N Channel2.7ohm
Drain Source On State Resistance P Channel2.7ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel375mW
Power Dissipation P Channel375mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The NX3020NAKS is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
- Low threshold voltage
애플리케이션
Industrial, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
180mA
Drain Source On State Resistance P Channel
2.7ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
375mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
180mA
Drain Source On State Resistance N Channel
2.7ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
375mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000007