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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호NXV55UNR
주문 코드3617842
Product RangeTrench
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.9A
Drain Source On State Resistance0.066ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation340mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
NXV55UNR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Low threshold voltage, very fast switching
- Drain-source voltage is 30V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 8V maximum
- Drain current is 2.3A max at VGS = 4.5V; Tamb = 25°C; t ≤ 5s
- Peak drain current is 7.6A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Total power dissipation is 340mW max at Tamb = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 50mohm typ at VGS = 4.5V; ID = 1.9A; Tj = 25°C
- Source-drain voltage is 0.6V typ at IS = 0.4A; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Total gate charge is 5.8nC typ at VDS = 15V; ID = 1.9A; VGS = 4.5V; Tj = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.9A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
340mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.066ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
Trench
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0004