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PBHV9115Z,115
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Surface Mount
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| 10+ | ₩741 |
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| 500+ | ₩374 |
| 1000+ | ₩279 |
| 5000+ | ₩260 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PBHV9115Z,115
주문 코드1829321
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max150V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation700mW
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Transition Frequency115MHz
DC Current Gain hFE Min220hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The PBHV9115Z is a 1A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a medium power surface-mount plastic package with increased heat-sink.
- High voltage
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- AEC-Q101 qualified
- NPN complement is PBHV8115Z
- V9115Z Marking code
애플리케이션
Industrial, Lighting, Automotive, Motor Drive & Control, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
1A
Transistor Case Style
SOT-223
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
220hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
150V
Power Dissipation
700mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
115MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000124