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PBSS4230PAN,115
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 30 V, 2 A, 2 W
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제조업체 표준 리드 타임: 54주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,171 |
| 10+ | ₩958 |
| 100+ | ₩936 |
| 500+ | ₩654 |
| 1000+ | ₩538 |
| 5000+ | ₩440 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PBSS4230PAN,115복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드2291488
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN30V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN2A
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN2W
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN150hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-1118
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN120MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
30V
Continuous Collector Current NPN
2A
Power Dissipation NPN
2W
DC Current Gain hFE Min NPN
150hFE
Transistor Case Style
SOT-1118
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
120MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000002