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PDTD123ET,215
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩674 |
| 50+ | ₩422 |
| 100+ | ₩266 |
| 500+ | ₩199 |
| 1500+ | ₩177 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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주문 배수수량: 5
₩3,370
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PDTD123ET,215복사
제조업체 표준 리드 타임12주
주문 코드2464147
기술 데이터 시트
Transistor PolaritySingle NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Continuous Collector Current Ic500mA
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current500mA
Base Input Resistor R12.2kohm
Base Emitter Resistor R22.2kohm
Resistor Ratio, R1 / R21(Ratio)
Transistor Case StyleSOT-23
RF Transistor CaseSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation250mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min40hFE
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
2.2kohm
Resistor Ratio, R1 / R2
1(Ratio)
RF Transistor Case
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current Ic
500mA
Continuous Collector Current
500mA
Base Emitter Resistor R2
2.2kohm
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
250mW
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001