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PMDPB30XN,115
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.04 ohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩2,122 |
| 10+ | ₩1,470 |
| 100+ | ₩930 |
| 500+ | ₩598 |
| 1000+ | ₩478 |
| 5000+ | ₩380 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PMDPB30XN,115복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드2311189
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel5.3A
Continuous Drain Current Id P Channel5.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.04ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-1118
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.17W
Power Dissipation P Channel1.17W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The PMDPB30XN is a dual N-channel enhancement-mode FET in a small and leadless ultra thin surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for DC-to-DC converters and small brushless DC motor drive applications.
- Very fast switching characteristics
- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
애플리케이션
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control, Portable Devices
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.17W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.04ohm
Transistor Case Style
SOT-1118
Power Dissipation N Channel
1.17W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000007