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PMDT670UPE,115
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 550 mA, 550 mA, 0.67 ohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩712 |
| 10+ | ₩451 |
| 100+ | ₩287 |
| 500+ | ₩215 |
| 1000+ | ₩175 |
| 5000+ | ₩134 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PMDT670UPE,115
주문 코드2069555
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel550mA
Continuous Drain Current Id P Channel550mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.67ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.67ohm
Transistor Case StyleSOT-666
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel500mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The PMDT670UPE is a dual P-channel enhancement-mode FET in an ultra small and flat lead surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
- ESD protection up to 2kV
애플리케이션
Industrial, Power Management
경고
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기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
550mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.67ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
500mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
550mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.67ohm
Transistor Case Style
SOT-666
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001