페이지 인쇄
PMPB14R8XNX
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 10 A, 0.0148 ohm, DFN2020M, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
1,890 재고
더 필요하세요?
1890 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
재고가 소진될 때까지 주문 가능
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩915 |
| 10+ | ₩567 |
| 100+ | ₩276 |
| 500+ | ₩245 |
| 1000+ | ₩214 |
| 5000+ | ₩183 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 5
주문 배수수량: 5
₩4,575
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PMPB14R8XNX
주문 코드4134279
Product RangeTrenchMOS Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.0148ohm
Transistor Case StyleDFN2020M
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation1W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchMOS Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
DFN2020M
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0148ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchMOS Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000038