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PMV130ENEAR
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 2.1 A, 0.12 ohm, SOT-23, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩881 | ₩4,405 |
| 총계 가격 | ₩4,405 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩881 |
| 50+ | ₩535 |
| 100+ | ₩338 |
| 500+ | ₩253 |
| 1500+ | ₩225 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PMV130ENEAR복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
리릴링2469648RL
컷 테이프2469648
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id2.1A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation460mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
The PMV130ENEAR from NEXPERIA is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Suitable applications: Relay driver, High-speed line driver, Low-side load switch and Switching circuits
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- 1kV ESD protected
- AEC-Q101 qualified
애플리케이션
Medical
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
460mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
PMV130ENEAR의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000049