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PMV16XNR
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 6.8 A, 0.02 ohm, TO-236AB, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,359 |
| 50+ | ₩935 |
| 100+ | ₩592 |
| 500+ | ₩368 |
| 1500+ | ₩279 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PMV16XNR복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
컷 테이프2498578
컷 테이프2498578RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6.8A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max650mV
Power Dissipation510mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The PMV16XN is a N-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in LED driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Enhanced power dissipation capability of 1200mW
- -55 to 150°C Junction temperature range
애플리케이션
Power Management, LED Lighting, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.8A
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
510mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
650mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
PMV16XNR의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000048