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PMV20ENR
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩758 |
| 50+ | ₩465 |
| 100+ | ₩296 |
| 500+ | ₩223 |
| 1500+ | ₩198 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PMV20ENR복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
컷 테이프3440075
컷 테이프3440075RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.021ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation510mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The PMV20ENR from NEXPERIA is a N Channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Suitable for Relay driver, High-speed line driver, Low-side load switch and Switching circuits
- Logic level compatible
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- Enhanced power dissipation capability of 1200mW
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
510mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000726