페이지 인쇄
PMV30UN2R
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
주문 가능
입고 시 알림 요청
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,059 | ₩5,295 |
| 총계 가격 | ₩5,295 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,059 |
| 50+ | ₩728 |
| 100+ | ₩462 |
| 500+ | ₩298 |
| 1500+ | ₩270 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PMV30UN2R복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
리릴링2469652RL
컷 테이프2469652
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.4A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max650mV
Power Dissipation490mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The PMV30UN2 is a N-channel enhancement mode Field-effect Transistor (FET) in a small surface-mounted device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Enhanced power dissipation capability of 1000mW.
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- 0.9A Source current
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
490mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
650mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
PMV30UN2R의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000006