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PMV40UN2R
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 4.4 A, 0.044 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
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| 50+ | ₩737 |
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| 500+ | ₩294 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PMV40UN2R복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
컷 테이프2469654
컷 테이프2469654RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4.4A
Drain Source On State Resistance0.044ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max650mV
Power Dissipation490mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The PMV40UN2 is a N-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in LED driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Enhanced power dissipation capability of 1000mW
- -55 to 150°C Junction temperature range
애플리케이션
Power Management, LED Lighting, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
490mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.044ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
650mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
PMV40UN2R의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000121