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PSMN013-60HLX
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.01 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PSMN013-60HLX
주문 코드4078670RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel40A
On Resistance Rds(on)0.01ohm
Continuous Drain Current Id P Channel40A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.01ohm
Rds(on) Test Voltage5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.01ohm
Transistor Case StyleLFPAK56D
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation Pd64W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel64W
Power Dissipation P Channel64W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
40A
Continuous Drain Current Id N Channel
40A
Continuous Drain Current Id P Channel
40A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.01ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.01ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
64W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
On Resistance Rds(on)
0.01ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
5V
Transistor Case Style
LFPAK56D
Power Dissipation Pd
64W
Power Dissipation N Channel
64W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000272