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PSMN020-100YS,115
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 43 A, 0.0205 ohm, SOT-669, Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | ₩2,727 |
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| 100+ | ₩1,153 |
| 500+ | ₩907 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PSMN020-100YS,115복사
제조업체 표준 리드 타임15주
주문 코드1785629
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id43A
Drain Source On State Resistance0.0205ohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation106W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The PSMN020-100YS is a N-channel standard level MOSFET with advanced TrenchMOS technology provides low RDS (ON) and low gate charge. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC convertor, lithium-ion battery protection, load switching, server power supplies and domestic equipment applications.
- Improved mechanical and thermal characteristics
- High efficiency gains in switching power converters
- LFPAK provides maximum power density in a power SO8 package
- -55 to 175°C Junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
43A
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
106W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0205ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
PSMN020-100YS,115의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000227