페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.

830 재고
더 필요하세요?
830 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,417 |
| 10+ | ₩1,147 |
| 100+ | ₩978 |
| 500+ | ₩770 |
| 1000+ | ₩658 |
| 5000+ | ₩528 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩2,417
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PSMN040-100MSEX복사
제조업체 표준 리드 타임15주
주문 코드2319892
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.0294ohm
Transistor Case StyleSOT-1210
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.3V
Power Dissipation91W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
PSMN040-100MSEX is a N-channel 100V 36.6mohm standard level MOSFET in LFPAK33 designed specifically for high-power PoE applications. It is a new standard and proprietary approaches are enabling Power-over-Ethernet (PoE) systems capable of delivering up to 90W to each powered device (PD). Such solutions place increased demands on the power sourcing equipment (PSE) in terms of “soft-start”, thermal management, and power density requirements. The applications include high-power PoE applications (60W and higher), IEEE 802.3at, and proprietary solutions.
- Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation
- Low Rdson for low conduction losses
- Ultra reliable LFPAK33 package for superior thermal and ruggedness performance
- Drain-source voltage is 100V max (Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C)
- Drain current is 30A max (VGS = 10V; Tj ID drain current = 25°C)
- Total power dissipation is 91W max (Tmb = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 66mohm max (VGS = 10V; ID = 10A; Tj = 100°C
- Gate-drain charge is 10.7nC typ (ID = 10A; VDS = 50V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Total gate charge is 30nC typ (ID = 10A; VDS = 50V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- 4 leads SOT1210 package, junction temperature range from -55 to 175°C
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
SOT-1210
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
91W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0294ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.3V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000071
